CuO掺杂对BaZn2Ti4O11陶瓷微波介电性能的影响

• 作者: 何茗 李俊杰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 介电性能 BaZn2Ti4O11 CuO掺杂
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 4-6,17
• 分类号: TM28
• 字数: 2076字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.04.002

摘要

采用固相反应法制备了CuO掺杂的BaZn2Ti4O11陶瓷,研究了所制陶瓷的物相、微观结构和微波介电性能.结果表明,CuO既可以在晶界处形成低共熔体,导致液相烧结,降低烧结温度40℃,又可使部分Cu2+进入晶格取代了部分Zn2+,增加Q·f值.掺杂质量分数0.5％的CuO在1 160℃烧结2h所制得BaZn2Ti4O11陶瓷的微波介电性能较佳:相对介电常数εr=29.4,Q·f=50 500 GHz,频率温度系数τf=-35.6×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何茗	成都电子机械高等专科学校电气系	12	45	4.0	6.0
5	李俊杰	成都电子机械高等专科学校电气系	2	1	1.0	1.0