瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 低导通电阻 耐压 标称值 结型 元件
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 行业快讯
• 页码范围: 59-59
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1067字
• 语种: 中文

摘要

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。