GaAs衬底制备40nmT型栅工艺

• 作者: 刘帆 时文华 苑进社
• 来源期刊: 重庆理工大学学报：自然科学
• 学科: 工学
• 关键词: T型栅 双层胶 1次曝光1次显影
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 电子·自动化
• 页码范围: 95-97
• 页数: 3页
• 分类号: TM23
• 字数: 1433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2012.06.018

摘要

采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条。实验结果表明,该方法能制备40 nm栅长的T型栅,基本满足器件制作要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苑进社	重庆师范大学物理与电子工程学院	20	32	3.0	4.0
2	时文华	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	8	17	2.0	4.0
3	刘帆		1	1	1.0	1.0