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基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响
基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响
作者:
张湘辉
汪灵
龙剑平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
直流弧光放电PCVD法
金刚石薄膜
基底温度
开环、闭环及开闭环复合控制方式
摘要:
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要.本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析.研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃~±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显.对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20%时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳.
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晶体特征
直流弧光放电等离子体CVD
直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜
直流热阴极
CVD
间歇生长模式
金刚石膜
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文献信息
篇名
基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
直流弧光放电PCVD法
金刚石薄膜
基底温度
开环、闭环及开闭环复合控制方式
年,卷(期)
2012,(6)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1554-1560
页数
7页
分类号
O782.+7
字数
5655字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
龙剑平
成都理工大学材料与化学化工学院
55
282
9.0
13.0
5
汪灵
成都理工大学材料与化学化工学院
67
603
14.0
20.0
9
张湘辉
成都理工大学材料与化学化工学院
17
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金刚石薄膜
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开环、闭环及开闭环复合控制方式
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研究来源
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相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
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人工晶体学报2012年第5期
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