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摘要:
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AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
AlGaN/GaN HEMT
低温特性
饱和漏极电流
阈值电压
AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真
铝镓氮/氮化镓
高电子迁移率晶体管
自加热效应
热分析
AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性
氮化镓
高电子迁移率器件
高温性能
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泄漏电流
退化
缺陷
热载流子效应
逆压电效应
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Breakdown voltage analysis for the new RESURF AlGaN/GaN HEMTs
来源期刊 中国科学 学科 工学
关键词 HEMT器件 AlGaN 击穿电压 RESURF 电压分析 高电子迁移率晶体管 传统结构 表面电场
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 473-479
页数 7页 分类号 TN386
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
HEMT器件
AlGaN
击穿电压
RESURF
电压分析
高电子迁移率晶体管
传统结构
表面电场
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
出版文献量(篇)
3119
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