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摘要:
图形化蓝宝石衬底作为GaN基LED照明外延衬底材料,由于其能降低GaN外延薄膜的线位错密度和提高LED的光萃取效率的显著性能在近几年来引起国内外许多科研机构和厂商的广泛兴趣。从衬底的制备工艺、图形尺寸角度出发,综述了图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展,并对其未来在大功率照明市场的应用进行了展望。
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图形化蓝宝石衬底
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SOS
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文献信息
篇名 LED蓝宝石图形化衬底的研究进展及发展趋势
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 图形化蓝宝石衬底 氮化镓(GaN) LED 刻蚀
年,卷(期) 2012,(12) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 10-16
页数 7页 分类号 TN304.2
字数 4653字 语种 中文
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图形化蓝宝石衬底
氮化镓(GaN)
LED
刻蚀
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电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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