退火温度对真空热蒸发法ZnS:In薄膜光电性能的影响

• 作者: 李文剑 程树英 陈金伙
• 来源期刊: 现代显示
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS薄膜 In掺杂 真空热蒸发 光电性能 退火
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 2650字
• 语种: 中文

摘要

采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程树英	福州大学物理与信息工程学院	96	443	11.0	17.0
2	陈金伙	福州大学物理与信息工程学院	15	38	3.0	5.0
3	李文剑	福州大学物理与信息工程学院	5	5	2.0	2.0