部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究

• 作者: 余学峰 卢健 崔江维 李明 薛耀国 高博
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽绝缘层附着硅 静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 323-329
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器（SRAM）在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律，研究了绝缘层附着硅（SOI）工艺SRAM器件在60^Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性，为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法．实验结果表明：辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因；阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰一峰值大幅降低，以及传输延迟增大；当总剂量累积到一定程度，逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误；传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性．