沟槽栅IGBT深槽工艺研究

• 作者: Ian Deviny 刘国友 罗海辉 黄建伟
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽栅IGBT 等离子刻蚀 Cl2 槽型
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件与应用
• 页码范围: 8-12
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文

摘要

基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺.通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽；通过系统优化气体流量、气压、电极间距和RF功率等工艺参数,得到了＜5％的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800 nm/min.在完成CF4/Ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国友		8	0	0.0	0.0
2	黄建伟		6	0	0.0	0.0
3	罗海辉		4	0	0.0	0.0
4	Ian Deviny		3	0	0.0	0.0