超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用

• 作者: 张彬庭 赵瓛
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 外延生长 超高真空化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 材料制备工艺与设备
• 页码范围: 1-8,23
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 5734字
• 语种: 中文

摘要

综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD).目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张彬庭	中国电子科技集团公司第四十八研究所	4	8	1.0	2.0
2	赵瓛	中国电子科技集团公司第四十八研究所	6	4	1.0	2.0