GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析

• 作者: 冯刘 刘晖 史鹏飞 张连东 程宏昌 苗壮 陈高善 高翔
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深度剖析 GaAs X射线光电子能谱 刻蚀速率 溅射产额
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 803-807
• 分类号: TH838.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.08.15

摘要

GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成.为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析.结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化；GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3∶2,富Ga;而G aAlAs层中的Ga、Al和As含量比约为1∶1∶2,Ga略少于Al,但稍大于Ga0.42Al0.58As的比例.Ar离子枪采用3kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAlAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAlAs的溅射产额为2.90.