Vishay大幅扩充E系列650 V N沟道功率MOSFET家族

• 作者: 郑冬冬
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: VISHAY 导通电阻 开关损耗 输人电压 通信电源系统 高能脉冲 不间断电源 极限性能 太阳能逆变
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（3）
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN386

摘要

【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30 mΩ、电流达6 A～105 A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。