4H-SiC基稀磁半导体的电子结构

• 作者: 张志华 陶华龙 黄国亮
• 来源期刊: 大连交通大学学报
• 关键词: 稀磁半导体(DMS) 电子结构 掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 74-78
• 页数: 5页
• 字数: 2601字
• 语种: 中文

摘要

通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和A1、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和A1与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,A1有稳定结构和影响结构磁性的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志华	大连交通大学材料科学与工程学院	11	18	3.0	4.0
2	陶华龙	大连交通大学材料科学与工程学院	5	7	2.0	2.0
3	黄国亮	大连交通大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0