一种新型的nA量级CMOS基准电流源

• 作者: 马寒玉 马成炎
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 电流基准 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 集成电路应用
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1391字
• 语种: 中文

摘要

设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源,并分析了该电路的工作原理.该基准电流源不需要使用电阻,大大节省了芯片的面积.基于TSMC 0.18 μmCMOS厚栅工艺,使用Spectre对电路进行了仿真.仿真结果表明,在输出基准电流为46 nA的情况下,该电路的温度系数为24.33 ppm/℃,输出电流变化率仅为0.028 9％/V,电源抑制比(PSRR)最高可达-85 dB,电路消耗的电流小于200 nA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马成炎	中国科学院微电子研究所	50	182	8.0	10.0
10	马寒玉	中国科学院微电子研究所	2	5	2.0	2.0