磁控溅射硅基薄膜应力演化实时研究

• 作者: 方明 李朝阳 李静平 贺洪波 邵建达
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 应力释放 应力恢复 物理吸附 化学吸附
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 2826-2830
• 页数: 5页
• 分类号: O484.2
• 字数: 3801字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132511.2826

摘要

采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射Si和SiNx薄膜的总力及应力演化过程.在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象.Si膜中应力是可逆的,而SiNx膜中应力是部分可逆的.物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因.不可逆的应力分量来源于化学吸附,基于吸附机制建立了一个应力释放模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室	212	2131	21.0	29.0
2	方明	中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室	23	170	8.0	12.0
3	贺洪波	中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室	48	491	16.0	19.0
4	李朝阳	中国工程物理研究院上海激光等离子体所	25	184	9.0	12.0
5	李静平	中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室	2	4	1.0	2.0