溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响

• 作者: 付伍君 刘浩瀚 孟祥钦 张遥 朱博 杨成韬
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN/ZnO薄膜 溅射功率 择优生长 结构 表面形貌
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 压电功能材料
• 页码范围: 416-418,422
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2434字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜.利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征.结果表明,不同溅射功率下生长的A1N薄膜都沿(002)择优生长,且随着功率的增大,薄膜的沉积速率增加,晶粒长大,AlN薄膜的(002)取向性变好.同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征,结果显示AIN薄膜呈柱状生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨成韬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	67	255	8.0	12.0
2	孟祥钦	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	4	1.0	2.0
3	付伍君	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	4	1.0	2.0
4	朱博	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	张遥	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
6	刘浩瀚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0