Na掺杂含量对ZnO∶Nax薄膜结构和光电性能的影响

• 作者: 叶志镇 郑展 陈凌翔
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Na掺杂 p型 紫外带边发射 受主态NaZn
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 23-26,132
• 分类号: TB43
• 语种: 中文

摘要

利用激光脉冲沉积法(PLD)制备了Na掺杂ZnO∶ Nax薄膜(0≤x≤0.1),并较全面地研究了Na含量对ZnO∶ Nax薄膜结晶质量和光电性能的影响.研究结果表明Na含量低于5％时,ZnO∶ Nax薄膜能够保持良好的c轴择优取向生长.随着Na含量的增加,薄膜由本征n型转变为p型.并且当Na含量为2％时,获得p型性能良好的薄膜:电阻率为53.5Ωcm,迁移率为0.55cm2V-1 s-1,空穴浓度为2.1×1017cm-3.结合XPS测试结果,我们认为p型转变是因为Na掺杂在ZnO中主要形成受主态NaZn.PL测试表明ZnO∶ Na0.02薄膜在377nm处具有良好的室温紫外带边发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	陈凌翔	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	13	3.0	3.0
3	郑展	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	3	1.0	1.0