磁控溅射法制备ZnO薄膜的工艺与性能研究

• 作者: 庄大明 栾和新
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: CIGS ZnO 本征氧化锌 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 1729-1734
• 页数: 6页
• 分类号: TM615
• 字数: 3373字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射的方法,制备应用于Cu(In1-xGax)Se2 (CIGS)太阳电池窗口层的本征ZnO薄膜.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透过率测试等方法研究和分析制备本征ZnO薄膜的工艺参数包括基底温度、氧分压等对薄膜性能的影响.结果表明:当基底温度较低时,薄膜的结晶状况较差,透过率较低,随着基底温度的升高,薄膜择优生长更明显,晶粒尺寸增大,缺陷密度降低,可见光透过率增加;当基底温度过高时,薄膜表面变粗糙,对光的散射增强,薄膜透过率减小;当氧分压较低时,薄膜中ZnO生长不充分,存在很多氧缺位.而当氧分压过高时,溅射过程中,薄膜表面吸附大量氧原子,阻碍ZnO晶粒的生长.优化后的ZnO薄膜制备工艺参数为:本底真空3.0×10-3Pa,基底温度200℃,溅射气压1.0Pa,氧分压2.0％,溅射功率0.5W/cm2,溅射时间30min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
2	栾和新	清华大学机械工程系	8	14	1.0	3.0