MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究

• 作者: 丁召 刘珂 周勋 周清 王继红 罗子江 郭祥
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs薄膜 MBE RHEED STM 熟化
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 847-849,853
• 页数: 4页
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 2469字
• 语种: 中文

摘要

采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs (001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州大学理学院	46	63	4.0	6.0
5	王继红	贵州大学理学院	24	46	3.0	5.0
6	周勋	贵州大学理学院	18	49	4.0	6.0
8	郭祥	贵州大学理学院	25	32	3.0	4.0
9	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
12	周清	贵州大学理学院	6	13	2.0	3.0
13	刘珂	贵州大学理学院	8	17	3.0	4.0