升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

• 作者: 严成锋 刘熙 孔海宽 忻隽 施尔畏 陈建军 高攀
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 生长速率 有限元
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 847-850
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 2558字
• 语种: 中文

摘要

本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间；中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应；同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
2	陈建军	中国科学院上海硅酸盐研究所	38	446	13.0	20.0
3	严成锋	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	73	5.0	8.0
4	高攀	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	238	4.0	13.0
5	孔海宽	中国科学院上海硅酸盐研究所	5	8	2.0	2.0
6	忻隽	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	21	2.0	4.0
7	刘熙	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	9	2.0	2.0