基于HFSS的埋入式电容串扰分析

• 作者: 吴松 李天明 粱颖 郭广阔 黄春跃
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 埋入式电容 HFSS仿真 高频 近端串扰 远端串扰 信号完整性
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 2625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.04.017

摘要

建立了埋入式电容串扰HFSS(High Frequency Simulator Structure)仿真分析模型,基于该模型对埋入式电容在高频条件下的串扰问题进行了研究,得到了其近端串扰(S13)和远端串扰(S14),分析了信号频率、两埋入式电容间距、埋入式电容距参考层的高度及基板介电常数对串扰强度的影响.结果表明:埋入式电容串扰强度随着信号频率的变化而呈现出震荡特征;随着埋入式电容距参考层的高度及基板介电常数的增加而增大;随着两埋入式电容间距的增加而减小.基于研究结果提出了抑制串扰的埋入式电容设计方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄春跃	桂林电子科技大学机电工程学院	81	410	11.0	16.0
2	李天明	桂林航天工业学院汽车与动力工程系	49	215	9.0	13.0
3	吴松	桂林电子科技大学机电工程学院	9	73	5.0	8.0
4	郭广阔	桂林电子科技大学机电工程学院	7	56	5.0	7.0
5	粱颖	成都航空职业技术学院电子工程系	1	6	1.0	1.0