一种基于SOI的抗单粒子效应锁相环设计

• 作者: 于宗光 周理想 张玲 张筱颖
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 锁相环 单粒子效应 抗辐照 压控振荡器
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 38-42
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

基于0.5μ-m SOI工艺,设计了一种具有抗单粒子效应的锁相环.重点对压控振荡器进行抗辐照加固,采用电流源放大器实现.与普通结构相比,提高了锁相环在辐照环境下的稳定性.该锁相环最高输出频率达到80 MHz,动态电流为12.23 mA,抗单粒子效应能力大于37 MeV·cm2/mg.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学物联网工程学院	89	354	9.0	14.0
5	张玲		24	83	6.0	8.0
6	张筱颖	江南大学物联网工程学院	1	0	0.0	0.0
10	周理想	江南大学物联网工程学院	2	3	1.0	1.0