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摘要:
提出一种新的ULSI后端设计低功耗流程,重点分析了版图压焊点位置摆放、宏单元位置规划、电源网络布局及物理综合功率优化设计等四项关键技术.采用SMIC 0.18μm 1P6M自对准硅化物CMOS工艺,设计了一种新型雷达SoC芯片,电路版图尺寸为7.825 mm×7.820 mm,规模为200万门,工作频率为100 MHz.实验结果表明,采用低功耗物理设计技术后,芯片功耗降低12.77%,满足350mW功耗的设计要求.该电路已通过用户的应用验证,满足系统小型化和低功耗需求.
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文献信息
篇名 ULSI后端设计低功耗技术研究
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 USLI 低功耗技术 后端设计 SoC CMOS
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 10-13
页数 分类号 TN402
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨兵 江南大学物联网学院 23 105 4.0 9.0
3 于宗光 江南大学物联网学院 89 354 9.0 14.0
7 魏敬和 中国电子科技集团公司第五十八研究所 69 261 7.0 13.0
8 张玲 中国电子科技集团公司第五十八研究所 24 83 6.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
USLI
低功耗技术
后端设计
SoC
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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