ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响

• 作者: 任光远 张嵩 杨瑞霞 王如 王晓翠
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) ZnO缓冲层 蓝宝石 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 66-70
• 分类号: TN304.054|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.01.011

摘要

为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2 μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响.用微分干涉显微镜(DIC)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)技术研究分析了GaN外延层的表面形貌、结晶质量和光学特性.结果表明,ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层的特性有着重要的影响,200 nm厚的ZnO缓冲层最有利于高质量GaN外延层的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	王如	河北工业大学信息工程学院	44	252	8.0	14.0
3	张嵩	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	5	1.0	1.0
4	王晓翠	河北工业大学信息工程学院	2	5	2.0	2.0
5	任光远	河北工业大学信息工程学院	2	5	2.0	2.0