基于氧化钨的8 Mb高密度阻变存储器设计

• 作者: 张锋 胡晓宇 范军 陈铖颖 马文龙
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器 写驱动 灵敏放大器
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 241-244
• 分类号: TN432|TP333.5
• 语种: 中文

摘要

设计了一款基于氧化钨的8 Mb高密度阻变存储器,采用单晶体管开关、单电阻(1T1R)的存储器单元结构,设计了完整的存储单元、行列译码器、写驱动和灵敏放大器等关键模块.存储器芯片采用HHNEC 0.13 μm 1P8M CMOS工艺流片.仿真结果表明,在8F2的高密度存储单元面积下,该存储器可实现准确的数据写入和读出功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张锋	中国科学院微电子研究所	59	509	10.0	21.0
2	马文龙	中国科学院微电子研究所	4	4	1.0	1.0
3	胡晓宇	中国科学院微电子研究所	25	439	6.0	20.0
4	范军	中国科学院微电子研究所	14	45	4.0	5.0
5	陈铖颖	中国科学院微电子研究所	15	59	4.0	7.0