分子束外延生长长波长多层InAs量子点

• 作者: 刘国军 刘学东 刘羽 尤明慧
• 来源期刊: 长春理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层 长波 InAs 量子点
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 52-53,57
• 页数: 3页
• 分类号: O346
• 字数: 845字
• 语种: 中文

摘要

采用应变InGaAs覆盖层可以实现GaAs基量子点1.3μm，但是1.55μm GaAs基量子点的制备难度要大得多，需要高In含量的覆盖层和较大的量子点。但是高In量子点容易引起快速降解的非辐射复合中心，影响QD材料的晶体和光学特性。较为系统的研究了长波长多层InAs量子点的MBE生长，优化了生长条件，获得了波长约为1568nm的多层InAs量子点材料。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
2	尤明慧	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	6	3	1.0	1.0
6	刘学东	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	4	2	1.0	1.0