磁控溅射工艺中靶材溅射功率对BCMg薄膜性能影响

• 作者: 吴爱民 周徐洋 董闯 马艳萍
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: BCMg 磁控溅射 非晶 力学性能
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、机械工程
• 页码范围: 298-302
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|O484.5
• 字数: 2615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7511/dllgxb201403006

摘要

采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯B、C及 Mg单质靶材为溅射源,573 K 下在单晶Si(001)表面成功制备硬质非晶态BCMg薄膜.背散射扫描电镜(SEM)图显示薄膜成分均匀,与基体 Si片结合良好.X射线光电子能谱(XPS)分析表明薄膜中存在B-B、B-C、C-Mg等键态.X射线衍射仪(XRD)及高分辨透射电镜(HRTEM)测试结果表明薄膜为非晶态结构.某单质靶材溅射功率提高时,沉积速率及相应元素在薄膜中的含量随之上升.随着薄膜中 B含量增加,薄膜中B-B共价键数量增多,BCMg薄膜硬度与断裂韧性均上升.B含量为85%时,BCMg薄膜硬度及断裂韧性分别达到33.9 GPa及3 MPa·m1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴爱民	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	38	263	10.0	15.0
5	马艳萍	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	3	10	2.0	3.0
8	周徐洋	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0