利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响

• 作者: 刘平安 王科范
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: 黑硅 霍尔效应 载流子浓度 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 实验教学
• 页码范围: 1-3,7
• 页数: 4页
• 分类号: O484.42
• 字数: 2353字
• 语种: 中文

摘要

利用霍尔效应测量了不同温度热退火后的黑硅的霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电导率。随着热退火温度的升高，黑硅内载流子的浓度缓慢下降，载流子迁移率却同步增加，这说明黑硅内载流子散射的主要形式是电离杂质散射。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王科范	河南大学微系统物理研究所	8	9	2.0	2.0
5	刘平安	河南大学普通物理实验教学中心	11	63	5.0	7.0