一种新颖的600 V浮空埋层结构

• 作者: 冉明 刘勇 刘嵘侃 唐昭焕 谭开洲
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 比导通电阻 分裂浮空埋层 耐压 超结
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 377-379
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

提出了一种新颖的低导通电阻600V器件结构.该结构采用了掺杂深槽和分裂浮空埋层结构,可以克服普通分裂浮空埋层结构划片道边缘漏电大的问题,同时仍然保持了普通分裂浮空埋层结构具有的较低导通电阻的优势.数值仿真表明,采用这种结构的600V器件外延层比导通电阻在相同耐压下比理想平行平面结结构小43％,从73.3 mΩ·cm2降低到41.7 mΩ·cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭开洲		23	106	5.0	9.0
2	刘勇	中国电子科技集团公司第二十四研究所	32	121	6.0	9.0
3	唐昭焕		9	14	3.0	3.0
4	刘嵘侃	中国电子科技集团公司第二十四研究所	7	21	2.0	4.0
5	冉明	中国电子科技集团公司第二十四研究所	2	2	1.0	1.0