一种二阶温度补偿的低功耗带隙基准源设计

• 作者: 冯全源 林嵩
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 BICMOS 低温漂 高PSRR Brokaw结构 二阶温度补偿
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.10.019

摘要

设计了一种基于BICMOS 0.5 μm工艺的低温漂高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)带隙基准电路.电路的核心结构是Brokaw结构,采用自偏置启动电路,鉴于对于温漂的高要求,选用了二阶温度补偿电路.经过Hspice仿真表明:此基准电路具有良好的温度特性,5.0 V供电在233 K(-40℃)到398 K(125℃)变化时,基准输出波动范围为1.248 8～1.249 8V,温度系数为4.57×10-6/K;电路的PSRR在低频时为-77 dB;当电源电压从2.5V变化到5.0 V时,带隙基准的输入电压线性调整率为0.024％,最低工作电压为2.06 V,整体静态电流为28.39 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	林嵩	西南交通大学微电子研究所	3	12	2.0	3.0