宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响

• 作者: 刘蓉容 池雅庆 陈建军
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 碰撞电离 界面态 垂直电场强度
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 786-789
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2316字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2014.05.002

摘要

针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响.实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同:体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小.基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象.研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建军	国防科学技术大学计算机学院	7	18	3.0	3.0
2	池雅庆	国防科学技术大学计算机学院	6	60	3.0	6.0
6	刘蓉容	国防科学技术大学计算机学院	2	2	1.0	1.0