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摘要:
随着大功率半导体器件的发展,其局部热流密度急剧增加.为防止器件功能失效,需要可靠的建模技术来研究器件的热学行为,进而指导其冷却设计.本文采用非等温能量平衡模型研究了自热效应对栅长为500 nm的多指GaAs赝配高电子迁移率固态微波功率器件(PHEMT)的热学特性的影响.基于泊松方程、连续性方程、输运方程和晶格热方程,数值求解得到了器件的热点位置和温度分布,并通过实验进行了验证.最后,应用(火积)理论,进一步分析了(火积)耗散热阻在评价器件热学性能方面的适用性.
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关键词热度
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文献信息
篇名 多指PHEMT器件热点和热阻数值研究
来源期刊 工程热物理学报 学科 工学
关键词 PHEMT 自热效应 NEB模型 热点 (火积)耗散热阻
年,卷(期) 2014,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1807-1811
页数 5页 分类号 TK124
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李敏 45 304 9.0 16.0
2 吴晶 31 81 6.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
PHEMT
自热效应
NEB模型
热点
(火积)耗散热阻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
工程热物理学报
月刊
0253-231X
11-2091/O4
大16开
北京中关村路乙12号(北京2706信箱)
2-185
1980
chi
出版文献量(篇)
8640
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13
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