MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性

• 作者: 乔忠良 刘洋 孔令沂 张晶 戴银 李林 李特 苑汇帛 谷雷
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 GaAsP/GaInP量子阱 偏向角 发光强度
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 156-159
• 页数: 4页
• 分类号: TM304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201441.0506002

摘要

通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构.通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波长、发光强度及半峰全宽的影响.发现在相同生长条件下,势垒层低温生长的量子阱发光更强;降低势阱层Ⅴ/Ⅲ比可以增加样品的发光强度,同时发光的峰值波长会出现红移.相同生长条件下,样品的发光强度会随其衬底偏向角的增加而增强,半峰全宽随其衬底偏向角的增大而减小.