退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响

• 作者: 晏学飞 秦会斌 邓江峡 郑梁 郑辉
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: YIG 薄膜 退火条件
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 科研发展
• 页码范围: 107-107,108
• 页数: 2页
• 字数: 4167字
• 语种: 中文

摘要

本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜，主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好，其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3，远大于YIG块材的Ms（139emu/cm3）。此外，其磁性与Fe2+相关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦会斌	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	237	1329	17.0	25.0
2	郑梁	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	35	114	5.0	9.0
3	郑辉	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	晏学飞	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	1	0	0.0	0.0
5	邓江峡	杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所	4	5	2.0	2.0