一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法

• 作者: 刘军 沈国荣 陈小川
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: RF SOI MOS变容管 衬底模型 解析提取
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 字数: 2724字
• 语种: 中文

摘要

本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型.提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法.采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范围内得到很好的吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军	中国科学院上海高等研究院	83	734	15.0	24.0
2	陈小川	中国科学院上海高等研究院	5	4	1.0	1.0
3	沈国荣		4	2	1.0	1.0