一种800V深阱多浮空场环终端结构设计

• 作者: 冯全源 汪德波
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 终端 击穿电压 表面电场
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 249-252
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200 μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931 V的VDMOS终端保护环结构.此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5 V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终端结构提升了34.15％,有效提高了终端效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	汪德波	西南交通大学微电子研究所	4	4	1.0	1.0