硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程

• 作者: 何远东 杨洪星 陈晨
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅-硅直接键合(SDB) 机械减薄 平整度 弯曲度 翘曲度
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 402-405
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.06.011

摘要

硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响.采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进行了考察.本次实验最终获得了几何参数良好、厚度满足要求且均匀的晶片.磨削过程会使弯曲度和翘曲度升高,可以通过化学腐蚀的方法降低弯曲度和翘曲度,化学腐蚀过程虽然使平整度升高,但可以通过机械/化学抛光的方法降低平整度.采用该减薄技术对直接键合硅片进行机械减薄具有可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
2	何远东	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	7	1.0	2.0
3	陈晨	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	3	1.0	1.0