磁控溅射法制备VO2薄膜及电阻突变测试

• 作者: 崔光振 张豹山 杨骏堂 王安 许卫东
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 军事
• 关键词: 磁控溅射 二氧化钒薄膜 退火 电阻突变
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 测试、试验与仿真
• 页码范围: 67-69,78
• 页数: 4页
• 分类号: O657.3|E951.4
• 语种: 中文

摘要

基于常温反应磁控溅射和热处理工艺，在硅片（100）衬底上，制备出了具有相变特性的二氧化钒（VO2）薄膜，采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后，薄膜晶粒开始生长，在2θ=27.9°、37.1°、42.3°分别出现了VO2的（011）、（200）、（210）衍射峰，薄膜形貌均匀致密。对薄膜的方块电阻进行了变温测试，相变前后薄膜电阻突变量达三个数量级，具有很好的半导体-金属相变特性。文中还对VO2薄膜在伪装领域的应用前景进行了分析。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许卫东		26	281	7.0	16.0
2	张豹山		19	138	5.0	11.0
3	杨骏堂		3	7	1.0	2.0
4	崔光振		4	10	2.0	3.0
5	王安		1	1	1.0	1.0