基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长

• 作者: 吕奇峰 杨富华 洪文婷 王昊 韩伟华 马刘红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基图形衬底 Ⅲ-Ⅴ族材料 微通道外延 选区生长 纳米结构
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 800-810
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.12.010

摘要

介绍了基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长的方法,主要包括选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线和微通道外延薄膜.选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线可以有效控制Ⅲ-Ⅴ族纳米线的直径,并控制位错扩散,从而可以在硅衬底上生长出高晶体质量的Ⅲ-Ⅴ族材料.同时,微沟道外延可以将位错限制在外延材料中极小范围内,保证外延材料的器件层晶体质量良好.微沟道外延分为两种形式:垂直生长和横向生长,原理分别是高深宽比陷阱和横向过生长.通过这两种生长形式,可以分别制备纳米条及纳米薄膜.硅基图形衬底的设计为Ⅲ-Ⅴ族材料在硅基衬底上集成提供了有效的途径,势必成为Ⅲ-Ⅴ族材料和硅异质集成的主流方法之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王昊	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	65	409	9.0	19.0
2	韩伟华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	20	98	5.0	9.0
3	杨富华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	49	227	9.0	14.0
4	吕奇峰	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	3	3	1.0	1.0
5	洪文婷	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	2	0	0.0	0.0
6	马刘红	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	1	0	0.0	0.0