SiC晶片倒角技术研究

• 作者: 张弛
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅晶片 切入量 砂轮转速 吸盘转速
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术与设备
• 页码范围: 16-18,27
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1563字
• 语种: 中文

摘要

讨论了碳化硅晶片的倒角工艺,主要包括晶片边缘倒角的基本原理,晶片倒角的目的以及晶片边缘粗糙度的影响.采用500#磨料粒度的砂轮对碳化硅晶片进行边缘研磨,分析讨论了切入量、砂轮转速、吸盘转速等参数的影响.切入量、吸盘转速越大,晶片边缘质量越差,崩边数也越多,砂轮转速越大,晶片质量越好.通过实验数据,我们还当选用500#的砂轮时,切入量在100 μm左右、砂轮转速在2 500 m/min左右、吸盘转速在6mm/s左右较为合适.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	21	19	3.0	4.0