TSV的电磁-热-结构耦合分析研究

• 作者: 尚玉玲 张明 李春泉 邝小乐 黄琼琼
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: TSV 电磁场 热场 结构场 耦合 有限元法
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 74-78
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 3692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.04.018

摘要

基于三场的控制方程建立了电磁场、热场及结构场耦合分析的数学模型,推导出其等效积分“弱”解形式,研究了TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)电磁-热-结构的多物理场耦合效应,分析了高斯脉冲加载条件下TSV的温度和等效应力分布情况.仿真结果表明,在考虑三场耦合的情况下得到的结果更为准确,这将有助于TSV的设计及对其性能进行相应的预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春泉		56	411	10.0	18.0
2	尚玉玲		45	255	8.0	14.0
3	张明		14	65	6.0	7.0
4	黄琼琼		6	41	4.0	6.0
5	邝小乐		1	6	1.0	1.0