栅接地 NMOS 管的 ESD 特性研究

• 作者: 任志伟 崔艾东
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 静电释放 栅接地 NMOS
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 5-6,9
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2015.01.002

摘要

ESD电路的作用是保护集成电路，使静电不损坏芯片内部电路，不造成集成电路失效，因此 ESD 研究是集成电路可靠性研究的重点方向之一。在新工艺下根据电路特点，设计 GGNMOS器件的防护单元，为提供有效可靠的 ESD 防护起到至关重要的作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔艾东	中国电子科技集团公司第四十七研究所	2	1	1.0	1.0
2	任志伟	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	1	1.0	1.0