20 GHz压控振荡器的设计与实现

• 作者: 侯晨龙 姜汉钧 宋奕霖 曹卫东 王志华 王自强 郭金星
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 高频 CMOS 性能优化
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 577-580
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款中心频率为20 GHz的压控振荡器.对压控振荡器的尾电流源噪声、交叉耦合MOS管尺寸、电感、调谐范围等诸多参数进行了性能优化.经流片后测试,该振荡器的输出频率覆盖范围为17.78～22.13 GHz,1 MHz处的相位噪声为-100 dBc,IV电压供压下的功耗为5.1 mW.