直拉法单晶硅生长的数值模拟和控制参数优化

• 作者: 王玉臣
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 数值模拟 单层热屏 加强型热屏 后继加热器
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 材料制造工艺与设备
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 3219字
• 语种: 中文

摘要

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径210 mm的硅单晶热场进行了模拟.后继加热器提高了晶体生长界面中心高度,对熔体温度梯度基本没有影响;热屏能改善晶体生长界面形状,使界面更加平滑,降低界面中心高度,并能降低熔体纵向温度梯度,得到更好的温度分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉臣	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	4	1.0	1.0