大直径重掺硼硅单晶生长工艺研究

• 作者: 韩焕鹏
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 大直径重掺硼硅单晶 热场改造 工艺参数改进 组分过冷
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 材料制造工艺与设备
• 页码范围: 5-9,29
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 3119字
• 语种: 中文

摘要

在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019 cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验.通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3 Ω.cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨,提高了该类硅单晶生长的效率和成品率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩焕鹏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	43	4.0	5.0