GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制

• 作者: 刘欣 陈特超 魏唯
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体设备 GaN-金属有机化学气相沉积 金属有机化合物源 注入摩尔流量
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1696字
• 语种: 中文

摘要

分析了GaN-M OCVD 设备中M O 源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定M O 源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于GaN-M OCVD 中5 种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO 源注入摩尔流量精确控制的解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈特超	中国电子科技集团公司第四十八研究所	21	38	3.0	5.0
2	刘欣	中国电子科技集团公司第四十八研究所	14	45	4.0	6.0
3	魏唯	中国电子科技集团公司第四十八研究所	14	17	2.0	3.0