HWCVD 工艺参数对 a-Si∶H 薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究?

• 作者: 何玉平 周浪 宁武涛 李丹 袁吉仁 黄海宾
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: HWCVD a-Si∶H 钝化 ε2 FT-IR SiHn 微观结构参数R?
• 年，卷（期）: 2015,（22）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 22067-22070,22075
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.22.013

摘要

采用 HWCVD 法双面沉积 a-Si∶H 膜钝化n-Cz-Si 片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对 a-Si∶H 薄膜结构及钝化性能的影响.结果表明,(1)薄膜中SiH 2键相对 SiH 键含量随气压升高逐渐减少,随电流增大先减少后增大；(2)热丝衬底间距4．0 cm 相比7．5 cm沉积的 a-Si∶ H 薄膜微观结构中,SiH 2键相比SiH 键的比例更高,钝化效果也更好；(3)本文范围内,工艺参数分别为热丝衬底间距4．0 cm 时气压1．5 Pa,沉积电流21．5 A 情况下钝化效果最优,钝化后硅片的表面复合速率为2．9 cm/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周浪	南昌大学光伏研究院	110	1018	16.0	26.0
2	何玉平	南昌大学光伏研究院	25	55	4.0	6.0
4	袁吉仁	南昌大学光伏研究院	24	74	5.0	7.0
5	黄海宾	南昌大学光伏研究院	15	40	4.0	6.0
6	李丹	贵州师范大学物理与电子科学学院	17	13	2.0	3.0
9	宁武涛	南昌大学光伏研究院	2	11	2.0	2.0