磁控溅射法制备的五氧化二钒薄膜光电特性

• 作者: 卢文壮 左敦稳 左杨平 张圣斌
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: V2O5薄膜 磁控溅射 溅射时间 薄膜厚度 电学性能 红外透过率
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 2438-2445
• 页数: 8页
• 分类号: O484.4
• 字数: 4752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20152309.2438

摘要

利用射频磁控溅射方法,选取溅射时间为15,25,30和45 min,在蓝宝石衬底上沉积了V2O5薄膜.研究了其他实验参量不变,溅射时间不同对薄膜结构、薄膜厚度、表面形貌、电学及光学性能的影响.实验结果表明,制备出的薄膜为单一组分的V2O5薄膜,其在(001)面有明显的择优取向.随着溅身时间的增加,结晶性能逐渐变强,晶粒尺寸也逐渐变大,而表面粗糙度值会逐渐降低;在晶体结构完整的基础上,随着溅射时间的增加,相变温度和经历的温度范围会逐渐增加,电学突变性能会降低.测试了薄膜在中红外波段的高低温透过率,结果显示:当膜厚为350 nm,波长为5 μm时,薄膜的透过率从25℃时的81％变为300℃的7％,变化幅度可达74％;所有薄膜相变前后透过率的比值均为9～13,表现出了非常突出的光学开关特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢文壮	南京航空航天大学机电工程学院	94	520	12.0	17.0
2	左敦稳	南京航空航天大学机电工程学院	510	3780	26.0	32.0
3	左杨平	南京航空航天大学机电工程学院	5	19	3.0	4.0
4	张圣斌	南京航空航天大学机电工程学院	7	26	3.0	5.0