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摘要:
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低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响
形核速率
形核层
GaN
金属有机化学气相沉积
脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜
脉冲激光沉积系统
GaN材料
薄膜材料
沉积温度
沉积气压
GaN薄膜表面缺陷密度的提取
氮化镓薄膜
缺陷
密度提取
二值化
数学形态学
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 界面形核时间对GaN薄膜晶体质量的影响?
来源期刊 物理学报 学科
关键词 低温形核层 有机金属化学气相沉积 氮化镓 位错
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 427-433
页数 7页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.64.127305
五维指标
传播情况
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2015(2)
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2020(2)
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研究主题发展历程
节点文献
低温形核层
有机金属化学气相沉积
氮化镓
位错
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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