磁控溅射法制备SnS薄膜的结构和光学性能

• 作者: 万书权 常会 范文娟 邹敏 霍红英
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 SnS薄膜 溅射参数 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 195-199
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射法在FTO玻璃上制备了SnS薄膜.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计对不同溅射参数下制备的SnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能进行研究,确定出制备SnS薄膜的最优溅射参数.结果表明:溅射功率为28 W,沉积气压在2.5 Pa时,制备出的SnS薄膜在(111)晶面具有最好的择优取向,薄膜微观形貌呈单片树叶状,晶粒粒径约370 nm,晶粒分布均匀,薄膜表面光滑致密;最优溅射参数下制备的SnS薄膜的吸收系数可达到105 cm-1,比其他方法制备的SnS薄膜的吸收系数值高,禁带宽度为1.48 eV,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 eV)十分接近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹敏	攀枝花学院生物与化学工程学院	53	359	11.0	16.0
2	霍红英	攀枝花学院生物与化学工程学院	20	93	5.0	9.0
3	常会	攀枝花学院生物与化学工程学院	18	58	4.0	7.0
4	万书权	攀枝花学院生物与化学工程学院	11	24	2.0	4.0
5	范文娟	攀枝花学院生物与化学工程学院	17	47	4.0	6.0